根据TrendForce吉邦咨询的研究2022年DRAM供应位增长率约为18.6%

根据TrendForce吉邦咨询的研究，2022年DRAM供应位增长率约为18.6%但由于目前买方库存水平较高，2022年需求bit增速仅为17.1%，明年DRAM行业将由供不应求转为供大于求虽然DRAM的价格会因供过于求而下降，但在寡头垄断的市场中，整体产值不会大幅下降预计2022年DRAM总产值将达到915.4亿美元，年均增长0.3%

趋势吉邦咨询以明年各季度供大于求的比例作为预测依据，预计DRAM平均单价每年下降15%，而上半年价格下降更为明显，从下半年开始，受益于DDR5渗透率的提升和旺季的需求效应，均价下降将会收敛，不排除平价或涨价的可能。

NAND闪存方面，2022年第一年供应增速约为31.8%，但第一年需求增速为30.8%，因此明年NAND Flash的价格也会因供过于求而下降此外，由于NAND Flash是一个完全竞争的市场，平均价格降幅较DRAM更为明显，但NAND Flash在层层堆叠中继续推进，因此预计2022年NAND Flash的总产值仍有增长空间，达到741.9亿美元，年增长7.4%

由于NAND Flash堆栈层的技术进步，未来供应商将继续追求更高的层，以降低每GB的生产成本因此，预计该行业资本支出仍有增长空间，资本支出与销售比率仍将接近40%或以上值得注意的是，如果产值跟不上未来几年支出的增长速度，会导致CAPEX与销售额之比过度上升，进而打压供应商的盈利能力

一般新一代DRAM制造节点平均可以节省10%的能耗，而1DRAM的节能性能远高于平均水平。像其他半导体产品一样，动态随机存取存储器需要非常精细的光刻工艺来沉积，移除和蚀刻芯片上的材料。Micron目前的工艺比上一代的1z制造节点更高效。