紧跟国家发展战略，时代速信挑战“芯”高度

2004年左右，第一个氮化镓高电子迁移率晶体管（HEMT）才开始商用。这些晶体管通常用于需要高效能、高电压的射频基础设施。

2008年，氮化镓金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET在硅衬底上形成得到推广，但由于电路复杂和缺乏高频生态系统组件，使用率较低。

2018年，氮化镓大规模应用于快充，从此充电器进入氮化镓时代。

2021年3月13日，新华网刊登了《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》，其中“集成电路”领域，特别提出碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体要取得发展。

时代速信作为一家致力于发展化合物半导体的民营公司，紧跟国家的发展战略，努力深耕于第三代半导体产业，并形成了以碳化硅基氮化镓和硅基氮化镓为核心的产品布局。近期，时代速信推出系列硅基氮化镓HEMT产品。该系列产品特别适用于高功率密度、超高开关频率和高效率的电源类应用场景，并且已完全应用于快充领域。由于工艺材料上的天然优势，硅基氮化镓器件与硅功率器件相比，开关频率可提升10倍，同时与其匹配的无源器件尺寸可大幅缩小，相应的最终电源产品，以PD快充为例，尺寸可缩小1/3。

时代速信此次推出的产品：GHHS065200AD，GHHS065400AD，均是N沟道650V增强型HEMT功率管，具有极低的导通电阻，极低的输入和输出电容，零反向恢复电荷。目前，市场对电源产品的效率要求越来越高，而GHHS065200AD在对应不同输入电压和输出规格的条件下与友商进行比较，其效率全方位均有提升。同时GHH065200AD已经完全通过可靠性测试认证。

使用GHHS065200AD的准谐振（QR）PD65WDemo，方案成熟，性能优异实测效率可达92%。通过传导、辐射测试及3C认证，可完全商用。

基于OR模式的30WPD产品亦同时面市。